本文通過對(duì)二維TMDs進(jìn)行集成和優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了從單一原理驗(yàn)證到可重復(fù)的集成設(shè)備的發(fā)展，標(biāo)志著技術(shù)進(jìn)步的重要里程碑。

本文指出通過改進(jìn)二維TMDs的材料質(zhì)量以及金屬接觸、電介質(zhì)和TMDs之間的界面，可以進(jìn)一步提升器件性能。

此外，本文指出優(yōu)化后的材料和界面顯著提高了器件的整體性能，尤其是在高質(zhì)量材料的低缺陷濃度方面表現(xiàn)突出。缺陷密度的降低對(duì)提升二維TMDs的性能至關(guān)重要。

摻雜問題：高密度的缺陷影響了摻雜效果，需要開發(fā)更有效的摻雜策略。

p型接觸：實(shí)現(xiàn)高性能p型接觸仍然是一個(gè)挑戰(zhàn)，需要進(jìn)一步的研究和改進(jìn)。

高介電常數(shù)介質(zhì)：必須找到與CMOS兼容的高介電常數(shù)介質(zhì)，這些介質(zhì)不會(huì)對(duì)二維TMD通道造成負(fù)面影響。