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“天才少年”曹原的導師Pablo Jarillo-Herrero，又又又發Science！

第一作者：Kenji?Yasuda、Evan?Zalys-Geller

通訊作者：Raymond?Ashoori、Pablo?Jarillo-Herrero、Kenji?Yasuda

通訊單位：麻省理工學院（MIT）

Pablo Jarillo-Herrero，出生于西班牙巴倫西亞，于2008年1月加入麻省理工學院，擔任物理學助理教授，并于2018年晉升為正式教授。他的獎項包括Alfred P. Sloan獎學金；David和Lucile Packard獎學金；能源部早期職業獎；總統科學家和工程師早期職業獎；ONR年輕研究者獎；摩爾基金會量子系統研究物理實驗獎；以及Oliver E. Buckley凝聚態物理獎。2018年，他當選為美國物理學會會員。2020年，Pablo Jarillo-Herrero因在旋翼學方面的開創性工作而獲得沃爾夫獎。

論文速覽

低至原子尺度的電壓可切換集體電子現象的持續存在，對面積有效和能量有效的電子器件具有廣泛的影響，尤其是在新興的非易失性存儲器技術中。本文研究了基于雙層氮化硼中滑動鐵電性的鐵電場效應晶體管（FeFET）在室溫下的性能。

滑動鐵電體代表了不同形式的原子級薄二維（2D）鐵電體，其特征是通過層間滑動運動切換面外極化。采用單層石墨烯作為溝道層的FeFET器件，該器件表現出納秒級的超快開關速度和超過1011個開關周期的高耐用性，與最先進的FeFET器件相當。這些特征凸顯了2D滑動鐵電體在激發下一代非易失性存儲器技術方面的潛力。

圖文導讀

圖1：基于滑動鐵電體的鐵電場效應晶體管的基本特性。

圖2：開關電壓的脈寬依賴性。

圖3：滑動鐵電體對開關周期的耐受性。

總結及展望

本文討論了滑動鐵電材料在非易失性存儲技術中的應用潛力，特別是在超快切換、高耐久性、亞納米厚度和低電壓操作方面的優勢。同時指出了實際應用中需要解決的關鍵挑戰，包括晶圓級合成技術和提高開關比。

提出了通過改進器件幾何結構來克服這些挑戰的方法，并提到了2D基FeFET存儲技術正在被半導體代工廠研究。研究預期能夠推動基于滑動鐵電材料的非易失性存儲技術的發展。

文獻信息

標題：Ultrafast high-endurance memory based on sliding ferroelectrics

期刊：science

DOI：10.1126/science.adp3575

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