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構建具有強氧化還原能力、有效電荷分離和大反應表面的光催化系統具有重要的科學和實際意義。在此，阿聯酋哈利法科技大學鄭聯喜（通訊作者）等人報道了一種邊緣連接的2D/2D Z-型系統，該系統結合了小面結和界面異質結，以實現有效的長程電荷分離和大的反應性表面暴露。

通過Au促進的光沉積方法在薄TiO₂納米片的邊緣位置選擇性生長2D層狀MoS₂納米片制備了該異質結。由于晶面結和界面異質結的協同耦合確保了有效的電荷分離，以及層狀MoS₂和高度暴露的TiO₂晶面（001）分別提供了大量的、物理分離的反應位點，人工Z-型異質結在光降解試驗中表現出優異的光催化性能。

雖然注入兩個半導體之間的Au NCs 僅充當介質以促進光生電子空穴在異質界面處的快速遷移，以確保有效的Z-型電荷轉移，而且還充當熱電子注入源以提高光催化性能，這種光催化劑系統對于具有多種未知污染物的光降解應用極為有利。

此外，作者還利用原位輻照X射線光電子能譜和光降解測試，全面研究了異質結構中的Z型電荷流動方向以及電子和空穴的作用。該工作為設計高性能Z-型光催化系統提供了新的見解。

Coupling Long-Range Facet Junction and Interfacial Heterojunction via Edge-Selective Deposition for High-Performance Z-Scheme Photocatalyst. Adv. Sci., 2022, DOI: 10.1002/advs.202200346.

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鄭聯喜Adv. Sci.：構建高性能Z-型光催化劑

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