二維過渡金屬硫族化物(TMDCs)因其良好的電子、化學、力學性能及穩定性，在電化學儲能轉換裝置中受到廣泛的關注。例如MoS₂就常被用來做鋰電負極材料；然而，當MoS₂用作鈉電負極材料時，卻很難擁有穩定的循環。

與MoS₂相比，MoSe₂的層間距更大，為0.64 nm；帶隙更小(≈1.1 eV)，因此具有更高的電導率；理論容量為422 mAh g^?1，超過商業石墨負極。但是，如果將MoSe₂直接用于鈉電負極，由于在電池充放電循環期間發生嚴重的體積變化，因此長期循環穩定性不是很好，甚至在幾十個循環后容量急劇衰減。

有鑒于此，北京大學鄒如強教授聯合郭少軍教授、Ray P. S. Han教授設計出一種CNT/MoSe₂/C三層異質結構，并用于高效儲鈉。該材料中，CNT創造e^?/Na⁺傳輸通道，MoSe₂層間距增大提高容量，C層提供保護作用免受電解液副反應的影響。

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作者首先通過溶劑熱/退火得到CNT/MoSe₂材料，再通過葡萄糖碳化獲得最終產物CNT/MoSe₂/C。

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CNT/MoSe₂的平均直徑為50 nm，高于純CNT的平均直徑35 nm，并且具有明顯的雙層結構。CNT/MoSe₂中MoSe₂的層間距為0.65 nm，對應著(002)晶面。CNT/MoSe₂/C的直徑為60 nm，其中MoSe₂的厚度為8.5 nm，碳層的厚度為3 nm，MoSe₂的層間距也進一步擴大到0.67 nm。

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控制葡萄糖的濃度可以調控碳層的厚度。

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XRD表征：27.3°和44.2°屬于碳的特征峰，其它峰屬于MoSe₂?(JCPDS 29–0914)，空間群為P63/mmc。

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Raman表征：1352和1586 cm^?1屬于CNT的D帶和G帶，其它位于239.34 cm^?1，283.6 cm^?1和354 cm^?1?處的峰分別為A1g，E2g1和 B2g1特征帶。

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位于0.48 V的CV峰為Na⁺插層MoSe₂形成Na_xMoSe₂，0.18 V的峰表示Na_xMoSe₂還原成Na₂Se和金屬Mo。CNT/MoSe₂/C材料在100 mA g^?1電流密度下的初始充放電容量分別為432和645 mAh g^?1。

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氧化峰和還原峰的b值分別為0.81和0.86，證明了該材料具有電池-電容行為。

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該異質結構即便在電池很長循環后，依舊能得到很好的保持，MoSe₂層的厚度依然為8 nm，碳層的厚度依然為3 nm。

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該工作以“A 3D Trilayered CNT/MoSe2/CHeterostructure with an Expanded MoSe2 Interlayer Spacing for an EfficientSodium Storage”?為標題于2019年7月2日發表在國際頂刊Adv.Energy Mater.上。

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A 3D Trilayered CNT/MoSe2/CHeterostructure with an Expanded MoSe2 Interlayer Spacing for an EfficientSodium Storage. (Adv. Energy Mater., 2019，DOI: 10.1002/aenm.201900567)

原文鏈接：https://doi.org/10.1002/aenm.201900567