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北科大劉永暢&李平Angew：D-MOS2-O正極助力高性能Zn離子儲(chǔ)存

基于MOS₂的正極的Zn儲(chǔ)存行為主要依賴于邊緣位點(diǎn)處的離子-（DE）嵌入而是受到無(wú)活性基底平面的限制。

近日，北京科技大學(xué)劉永暢和李平等人在Angew. Chem. Int. Ed.期刊上發(fā)表了題為”Molecular Engineering on MoS₂ Enables Large Interlayers and Unlocked Basal Planes for High-Performance Aqueous Zn-Ion?Storage”的論文。

D-MOS₂-O的制備過(guò)程和晶體結(jié)構(gòu)的示意圖

作者提出了在結(jié)構(gòu)缺陷制造和O型摻雜方面的原位分子工程策略實(shí)現(xiàn)了高倍率性能。通過(guò)Zn²⁺擴(kuò)散通過(guò)密度泛函理論計(jì)算驗(yàn)證。

即使在嚴(yán)重彎曲條件下，采用D-MOS₂-O正極的可穿戴準(zhǔn)固態(tài)可再充電Zn電池穩(wěn)定地運(yùn)行，顯示出很大的應(yīng)用前景。

D-MOS₂-O的電化學(xué)性能表征

材料的模擬分析

Molecular Engineering on MoS₂ Enables Large Interlayers and Unlocked Basal Planes for High-Performance Aqueous Zn-Ion Storage（Angew. Chem. Int. Ed. 2021, DOI: 10.1002/anie.202108317）

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